企业简介
属兵器工业总公司1978年建立，主营混合集成电路、单片集成电路、电源模块等的设计生产加工销售贸易一体。
华东光电集成器件研究所的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106128972A | 一种分立裸芯片探针测试定位矩阵装置 | 2016.11.16 | 本发明公开一种分立裸芯片探针测试定位矩阵装置，包括呈SOI结构的载体硅片，载体硅片的顶层设有定位槽阵 |
| 2 | CN106229276A | 一种基于LTCC基板的BGA一体化封装装置 | 2016.12.14 | 本发明涉及一种基于LTCC基板的BGA一体化封装装置，其特征在于：包括LTCC基板（1），在LTCC |
| 3 | CN103433261B | 一种元器件等离子清洗辅助装置 | 2016.06.29 | 本发明涉及一种元器件等离子清洗辅助装置，边框（2）底部连接丝网（3）作为托盘的盘底，边框（2）中部设 |
| 4 | CN106241731A | 一种平板电容MEMS器件电容间隙的控制制备方法 | 2016.12.21 | 本发明公开一种平板电容MEMS器件电容间隙的控制制备方法，包括以下步骤：S1）采用双抛硅片作为衬底， |
| 5 | CN106057712A | 一种光耦合器电路精确快速固晶装置 | 2016.10.26 | 本发明涉及一种光耦合器电路精确快速固晶装置，包括在底座上设置相互对应配合的校准器和承片台，承片台上设 |
| 6 | CN103594410B | 一种组合式控温承片台 | 2016.06.29 | 一种组合式控温承片台，它包括：加热座（1）、加热管（5）、热电偶（6），其特征在于：加热座上设有开口 |
| 7 | CN104198909B | 一种台面雪崩二极管管芯面积的测量方法 | 2016.11.23 | 本发明公开一种台面雪崩二极管管芯面积的测量方法，包含以下步骤：a）将台面雪崩二级管构成反向工作电气回 |
| 8 | CN103594402B | 一种片式器件盛片板 | 2016.06.29 | 本发明涉及一种片式器件盛片板，其特征在于：包括平板（1），在平板（1）的一面均布一组与片式器件相对应 |
| 9 | CN106257640A | 一种片式器件的盛片装置 | 2016.12.28 | 本发明涉及一种片式器件的盛片装置，包括盛片板（1），在盛片板（1）的外侧设有第一环形卡槽（6），在盛 |
| 10 | CN106249049A | 一种提高极值厚膜电阻激光微调精度的装置 | 2016.12.21 | 本发明提供一种提高极值厚膜电阻激光微调精度的装置，它包括探针卡（1）其特征在于：在探针卡（1）上设有 |
| 11 | CN102420044B | 一种微型变压器线圈骨架的固定装置及线圈绕制方法 | 2016.12.14 | 本发明涉及一种微型变压器线圈骨架的固定装置及线圈绕制方法，本发明固定装置由骨架固定轴、金属弹簧及钢珠 |
| 12 | CN105293419B | 一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件 | 2016.12.07 | 本发明涉及一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件，其特征在于：衬底硅（3）表面设有浅腔（4）、电极（9 |
| 13 | CN104362106B | 一种集成电路外引线焊接方法 | 2017.04.12 | 本发明涉及一种集成电路外引线焊接方法，包括以下步骤：a、在厚膜基板(2)上采用共晶焊接金属焊片(3) |
| 14 | CN103557853B | 一种抗高过载的MEMS陀螺 | 2017.03.01 | 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点（7），在 |
| 15 | CN106449473A | 一种集成电路基板卸取装置 | 2017.02.22 | 本发明公开一种集成电路基板卸取装置，包括拆卸头，拆卸头的一端设有扁平梳齿，扁平梳齿能够与集成电路金属 |
| 16 | CN106449740A | 一种自由集电极纵向PNP管及其制备方法 | 2017.02.22 | 本发明公开一种自由集电极纵向PNP管，包括P型衬底，P型衬底中心设有N‑阱，N‑阱外侧的P型衬底上设 |
| 17 | CN106405151A | 一种低应力Z轴加速度计的制备方法 | 2017.02.15 | 本发明公开一种低应力Z轴加速度计的制备方法，包括制备下衬底层、下固定电极层、可动结构层、上衬底层与上 |
| 18 | CN106405362A | 一种雪崩二极管低频参数测试装置 | 2017.02.15 | 本发明公开一种雪崩二极管低频参数测试装置，包括底座，底座侧部设有四个BNC接头，底座上设有固定台，固 |
| 19 | CN106300319A | 一种集成电路反插检测保护装置 | 2017.01.04 | 本发明公开一种集成电路反插检测保护装置，包括电压采样电路、比较器、基准电压电路与三个开关驱动电路；电 |
| 20 | CN104283470B | 一种压控电流源步进电机驱动装置 | 2017.01.04 | 本发明公开一种压控电流源步进电机驱动装置，包括用于驱动步进电机的H桥控制单元，H桥控制单元的四个功率 |
| 21 | CN106298551A | 一种芯片焊接压块组件 | 2017.01.04 | 本发明提供一种芯片焊接压块组件，其特征在于：它包括至少一组压块（1），在每个压块（1）顶部均设有榫头 |
| 22 | CN106180954A | 一种多芯片共晶焊施压装置 | 2016.12.07 | 本发明公开一种多芯片共晶焊施压装置，包括石墨夹具、不锈钢定位夹片与压力板，不锈钢定位夹片上设有一组与 |
| 23 | CN106158716A | 一种电子器件多头吸嘴装置 | 2016.11.23 | 本发明涉及一种电子器件多头吸嘴装置，其特征在于：包括一个内部空腔的柱型管支架（1），柱型管支架（1） |
| 24 | CN106141462A | 一种用于模块电路激光封焊的固定装置 | 2016.11.23 | 本发明涉及一种用于模块电路激光封焊的固定装置，包括底板（1），在底板上设有环形板（2），环形板上连接 |
| 25 | CN106153241A | 一种MEMS电容式压力传感器 | 2016.11.23 | 本发明公开一种MEMS电容式压力传感器，包括衬底与压力应变膜片，压力应变膜片通过锚体固定于衬底上方； |
| 26 | CN103023506B | 一种分段电流源DAC电路 | 2016.08.03 | 本发明涉及一种分段电流源DAC电路，该电路是将二进制加权结构与单位电流源结构相结合的分段电流源DAC |
| 27 | CN103575486B | 一种裸芯片冲击振动试验夹具及裸芯片的装夹方法 | 2016.06.29 | 本发明涉及一种裸芯片冲击振动试验夹具及裸芯片的装夹方法，包括矩形的夹具体（2），其特征在于：在夹具体 |
| 28 | CN104355284B | 一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法 | 2016.06.29 | 本发明涉及一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法，包括硅基体（1）、可动结构（5）以及盖帽（ |
| 29 | CN104201899B | 一种低压DC/DC转换装置 | 2016.06.29 | 本发明公开一种低压DC/DC转换装置，包含整流滤波二极管(VD1)，低压启动PWM控制器(U1)，自 |
| 30 | CN102931899B | 电机转速控制电路 | 2016.06.01 | 本发明涉及一种具有过流保护功能的直流电机转速控制电路，由内基准信号产生和整形电路、外基准信号整形电路 |
| 31 | CN103442520B | 一种组合式喷淋水清洗电路板固定装置 | 2016.06.01 | 本发明涉及一种组合式喷淋水清洗电路板固定装置,包括两档板（2），两档板间连接二根固定梁（1），固定梁 |
| 32 | CN103594445B | 一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚及其制备方法 | 2016.06.01 | 本发明公开一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚，所述引脚由四个相同大小的梯形金属片相互连接成形， |
| 33 | CN103605067B | 一种双面布线厚膜电路测试装置 | 2016.06.01 | 一种双面布线厚膜电路测试装置，其特征在于它包括：下座（1），下座上设有一组下连通片（19），下连通片 |
| 34 | CN105609517A | 一种背照式图像传感器 | 2016.05.25 | 本发明公开一种背照式图像传感器，包括图像传感器芯片与支撑基板，图像传感器芯片正面嵌设有焊盘，图像传感 |
| 35 | CN104355285B | 一种MEMS器件的真空封装结构及其制造方法 | 2016.05.11 | 本发明涉及一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1） |
| 36 | CN104260009B | 一种衬底粘接夹持定位装置 | 2016.05.11 | 本发明公开一种衬底粘接夹持定位装置，包括承载金属外壳(4)的基座(1)以及对衬底(6)施加压力的压板 |
| 37 | CN105514135A | 一种背照式图像传感器的制造方法 | 2016.04.20 | 本发明公开一种背照式图像传感器的制造方法，包括以下步骤：a)对图像传感器芯片的正面做平坦化处理；b) |
| 38 | CN103529329B | 一种片式电容器多位老化装置 | 2016.04.13 | 本发明公开一种片式电容器多位老化装置，包括PCB底座(1)，PCB底座(1)内印制有正极引线(2)与 |
| 39 | CN104355286B | 一种全硅MEMS器件结构及其制造方法 | 2016.04.13 | 本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16) |
| 40 | CN103586612B | 一种线路板多角度焊接装置 | 2016.04.06 | 一种线路板多角度焊接装置，其特征在于它包括：底座（1）、支撑杆（2）、托板（3），托板的下面设有转动 |
| 41 | CN105372574A | 一种半导体芯片晶圆毫伏级信号测试系统 | 2016.03.02 | 本发明公开一种半导体芯片晶圆毫伏级信号测试系统，包括ASL1000测试平台，ASL1000测试平台的 |
| 42 | CN105293419A | 一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件 | 2016.02.03 | 本发明涉及一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件，其特征在于：衬底硅（3）表面设有浅腔（4）、电极（9 |
| 43 | CN102862947B | 一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法 | 2016.01.27 | 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装 |
| 44 | CN105269484A | 电路机械冲击试验固定装置 | 2016.01.27 | 本发明涉及电路机械冲击试验固定装置，其特征在于：包括支撑板（1）和压板（2），在支撑板（1）的上设有 |
| 45 | CN102928730B | 一种接地检测装置 | 2016.01.27 | 本发明涉及一种接地检测装置，用于对有接地要求的待检测装置进行接地状态检测。接地检测装置由电源、限流电 |
| 46 | CN103441120B | 一种叠装的集成电路 | 2016.01.27 | 本发明一种叠装的集成电路，下外壳（1）基板（E）上设有一组穿过下外壳向外延伸的下引线柱（5），下引线 |
| 47 | CN103575216B | 一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法 | 2016.01.27 | 本发明公开一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法，将清洁后的硅深腔构件(1)作为模具，使用聚二甲基硅 |
| 48 | CN105259372A | 晶圆级电容式加速度计自动测试系统 | 2016.01.20 | 本发明公开晶圆级电容式加速度计自动测试系统，包括微处理器以及与微处理器相连的上位机，四个电容数字转换 |
| 49 | CN105241584A | 一种电容式压力传感器 | 2016.01.13 | 本发明公开一种电容式压力传感器，包括固定电极与移动电极，移动电极包括上移动电极与下移动电极，上移动电 |
| 50 | CN105242069A | 一种抗过载电容式三轴MEMS加速度计 | 2016.01.13 | 本发明公开一种抗过载电容式三轴MEMS加速度计，包括设于衬底上的X轴向、Y轴向与Z轴向检测单元，X轴 |
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